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本发明公开了一种激光器芯片及制备方法，所述制备方法包括：提供基底；于所述基底上形成有源层；于所述有源层的表面形成电子阻挡层，所述电子阻挡层包括In1‑xGaxP材料层；于所述电子阻挡层的表面形成外延结构。在不增加额外的制造成本下，通过在激光器芯片中的外延结构和有源层之间添加电子阻挡层的设计，相比较传统的有源外延结构，In1‑xGaxP材料层与外延结构中材料层的导带边不连续，从而形成电子势垒，阻挡在严苛的环境下（‑40℃~85℃）电子溢流出有源层，大量的电子聚集在有源层中，以使电子与空穴复合，实现
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112636180 B
(45)授权公告日 2021.06.01
(21)申请号 202110258344.2 (51)Int.Cl.
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