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本发明涉及一种半导体结构及其形成方法；形成方法包括：提供基体；在基体正面形成第一图形结构；在第一图形结构的侧壁和远离基体的表面以及基体的正面形成第一介电层；在第一介电层表面形成第一低k介质层，且第一低k介质层远离基体的表面低于第一图形结构远离基体的表面；在第一介电层和第一低k材料表面形成的第二介电层；平坦化第二介电层和部分第一介电层，直至暴露出第一图形化结构且第一低k介质层表面覆盖有第二介电层。上述半导体结构的形成方法通过调整工艺步骤，避免对第一低k介质层侧壁的损伤，保证了第一低k介质层侧壁的形
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112652571 A
(43)申请公布日
2021.04.13
(21)申请号 20191
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