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2023-06-03 发布于四川
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一种深紫外半导体发光二极管外延结构.pdf

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本发明为一种深紫外半导体发光二极管外延结构。该外延结构沿着外延方向依次包括图形衬底、半导体缓冲层、n型半导体材料层、多量子阱层、p型电子阻挡层、p型半导体材料传输层；所述的图形衬底上刻蚀有凹槽，每个凹槽上，均向上垂直生长有一个空腔结构，空腔结构穿过半导体缓冲层、n型半导体材料层、多量子阱层，顶部位置为以下三种：第一种，聚合在p型电子阻挡层，空腔在p型电子阻挡层内的聚合深度为10～100nm，或者，第二种，继续穿过p型电子阻挡层，聚合在p型半导体材料传输层，空腔在p型半导体材料传输层内的聚合深度为

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112635628 B (45)授权公告日 2021.09.24 (21)申请号 202011517916.6 H01L 33/06 (2010.01)

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