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非共形帽盖层及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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非共形帽盖层及其形成方法.pdf

    本申请公开了非共形帽盖层及其形成方法。一种方法包括：形成突出结构；以及使用原子层沉积(ALD)工艺在突出结构上形成非共形膜。非共形膜包括位于突出结构正上方的顶部部分，以及突出结构的侧壁上的侧壁部分。该顶部部分具有第一厚度，并且该侧壁部分具有小于第一厚度的第二厚度。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750767 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202010935125.9 (22)申请日 2020.09.08 (30)优先权数据 62/928,77

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