一种屏蔽栅-沟槽型MOSFET的结构及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-05 发布于四川
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一种屏蔽栅-沟槽型MOSFET的结构及其制造方法.pdf

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本发明公开一种屏蔽栅‑沟槽型MOSFET的结构及其制造方法。本发明中的屏蔽栅‑沟槽型MOSFET采用阶梯栅极氧化物构成栅介质层，所述阶梯栅极介质层为n阶氧化物，从沟槽下方到沟槽上方的氧化物厚度分别为D1，D2，……，Dn，其中，D1D2……Dn。本发明中公开的采用阶梯栅极氧化物作为栅介质层的屏蔽栅‑沟槽型MOSFET结构，可以有效地实现栅极和漏极之间的隔离，减小栅漏电容Cgd，还能使得该MOSFET具有较低的比导通电阻且保持高的击穿电压，提高MOSFET的性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112736138 B (45)授权公告日 2022.04.08 (21)申请号 202110355178.8 H01L 29/786 (2006.01)