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一种用于InP晶体生长的坩埚及InP晶体的生长方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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一种用于InP晶体生长的坩埚及InP晶体的生长方法.pdf

    本发明公开了一种用于InP晶体生长的坩埚及InP晶体的生长方法，用于InP晶体生长的坩埚，包括第一坩埚、坩埚帽和第二坩埚；第一坩埚为从上往下依次由第一体部、第一肩部和第一籽晶腔组成的开口向上的中空石英管；第二坩埚为从上往下依次由第二体部、第二肩部、缩颈腔和第二籽晶腔组成的上下两端均开口的中空PBN陶瓷坩埚；第二坩埚位于第一坩埚内侧，且第二体部位于第一体部内侧，第二肩部位于第一肩部内侧，缩颈腔和第二籽晶腔位于第一籽晶腔内侧；坩埚帽为半球形石英帽，坩埚帽外径不小于第二坩埚外径；坩埚帽开口向下地位于第

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112760713 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202011577740.3 (22)申请日 2020.12.28 (71)申请人 中锗科技有限公司 地址

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