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动态存储器以及SOC芯片.pdfVIP

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  • 2023-06-08 发布于四川
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动态存储器以及SOC芯片.pdf

    本申请提供一种动态存储器以及SOC芯片，动态存储器包括衬底和多个存储单元，存储单元包括设置在衬底上的第一MOS管、第二MOS管，以及读字线和读位线，写字线和写位线，第一MOS管的第一栅极和第二MOS管的第二源漏极电连接，第二MOS管为金属氧化物薄膜MOS管。通过在衬底上形成有源区，衬底上处于有源区的部分可以作为第一MOS管的有源层，动态存储器可以和SOC(Systemonchip，片上系统)芯片制作在同一个衬底上，动态存储器的制作工艺可以和SOC芯片的制作工艺兼容，由此提高了器件的集成度。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116234296 A (43)申请公布日 2023.06.06 (21)申请号 202210055158.3 (22)申请日 2022.01.18 (71)申请人 北京超弦存储器研究院 地址 10

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