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动态存储装置及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-08 发布于四川
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动态存储装置及其制备方法.pdf

    本申请实施例提供了一种动态存储装置及其制备方法。动态存储装置的制备方法包括：提供硅衬底，在所述硅衬底上制备硅基半导体层；在所述硅基半导体层的一侧依次制备第一绝缘层、第一金属层和第二金属层，形成读取场效应管；在所述第二金属层的一侧制备连接层；在所述连接层的一侧依次制备第三金属层、金属氧化物半导体层、第二绝缘层和第四金属层，形成写入场效应管。本申请实施例中制得两个场效应管：读取场效应管和写入场效应管，由写入场效应管将数据写入读取场效应管。由于写入数据和读取数据涉及不同的场效应管，从动态存储装置读取数

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116234297 A (43)申请公布日 2023.06.06 (21)申请号 202210056489.9 (22)申请日 2022.01.18 (71)申请人 北京超弦存储器研究院 地址 10

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