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本公开的实施例涉及一种用于制造电子芯片的方法。一种用于制造电子芯片的方法，包括：在半导体基底的顶面侧上形成使所述集成电路横向地分隔的沟槽，多个集成电路已经被形成在半导体基底中以及该半导体基底上；在基底的顶面侧上每集成电路沉积至少一个金属连接柱，以及沉积在沟槽中和在集成电路的顶面上延伸的保护树脂。方法还包括从保护树脂的顶面形成被跨沟槽定位的开口，并且开口在大于或者等于沟槽的宽度的宽度上延伸，以便清理出每个集成电路的至少一个金属柱的侧翼。通过切割使集成电路分隔成单独的芯片。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112908935 A
(43)申请公布日 2021.06.04
(21)申请号 202011414601.9
(22)申请日 2020.12.03
(30)优先权数据
1913746
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