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本发明提供一种超宽带芯片偏置电路结构，属于射频微波集成电路技术领域，包括电流源、等效电感、微带线、片上去耦电容和螺旋电感，电流源的一端接地，另一端经等效电感串联微带线，片上去耦电容的一端经螺旋电感接地，另一端连接等效电感和微带线之间的连接线；所述超宽带芯片偏置电路结构可应用于单级射频功率放大器、分布式放大器和低噪声放大器中，在不增加MMIC片上去耦电容的面积的同时，实现了应用超宽带芯片偏置电路结构的MMIC的超宽带性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112910418 B
(45)授权公告日 2022.07.29
(21)申请号 202110054427.X (56)对比文件
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