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- 约 8页
- 2023-06-09 发布于四川
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本发明公开了一种磷化铟单晶生长的恒压恒流保护气装置及磷化铟单晶生长的方法,恒压恒流保护气装置,包括VGF生长炉、气体储罐、高压气泵和气体加热套;VGF生长炉包括高压腔,高压腔的顶部设有上盖、底部设有下盖,高压腔内侧设有筒状的加热器,上盖上设有与加热器相通的出气管路,下盖上设有与加热器相通的进气管路;上盖上的出气管路通过第一管路与气体储罐的进气口连通,气体储罐的出气口通过第二管路与高压气泵的进气口连通,高压气泵的出气口通过第三管路与气体加热套的进气口连通,气体加热套的出气口通过第四管路与下盖上的进
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112899785 A
(43)申请公布日 2021.06.04
(21)申请号 202110327313.8
(22)申请日 2021.03.26
(71)申请人 中锗科技有限公司
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