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一种大电流高电压、高电流上升率的超大电流高di/dt晶闸管管芯结构，包括硅片、门极、阴极和台面保护，其特殊之处是：所述硅片为N型(100)晶向的中照单晶硅片，在硅片上进行双面P层扩散形成P1层和P2层，P1层表面研磨后扩P+层做阳极面，P2层表面经氧化光刻、单面进行三氯氧磷N+扩散形成N2区，构成非对称的晶闸管P+P1N1P2N2基本结构，所述N2区为所述阴极，所述阴极为条状且条宽为0.5～1.5mm，所述阴极周围为所述门极，所述门极包围所述阴极，且门极与阴极的面积比＝1：8～1：10。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112909070 A
(43)申请公布日 2021.06.04
(21)申请号 202110183989.4
(22)申请日 2021.02.10
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