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本发明公开了一种铪掺杂氧化铟薄膜晶体管及其制备方法，其晶体管为N型氧化铟薄膜晶体管具有底栅顶接触结构。其制备方法首先在具有二氧化硅热氧化层的重掺杂硅衬底上通过溶胶凝胶法旋涂一层铪掺杂氧化铟半导体有源层，然后在150℃的加热板上预退火10min以蒸干溶剂，再放入290℃的加热板上退火结晶30min，最后利用掩膜版在半导体层上镀一层60nm左右的铝作为源极和漏极，得到了具有高偏压稳定性、低亚阈值摆幅的氧化铟晶体管。本发明提升了底栅顶接触结构的氧化铟薄膜晶体管的电学性能，优化了现有的氧化铟薄膜晶
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112908852 A
(43)申请公布日 2021.06.04
(21)申请号 202110028416.4
(22)申请日 2021.01.11
(71)申请人 华东师范大学
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