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本发明的光半导体装置具备：台面(200)，在第一导电型基板(10)的表面依次层叠有第一导电型包覆层(11)、活性层(20)、以及具有第二导电型的第二导电型第一包覆层(30)；埋入层(50)，以使台面(200)的顶部露出的方式将台面(200)的两侧埋入；以及第二导电型第二包覆层(31)，将埋入层(50)以及从埋入层(50)露出的台面(200)的顶部埋入，埋入层(50)包含掺杂有半绝缘性材料的层，以使第二导电型第一包覆层(30)的宽度随着朝向台面(200)的顶部而变窄的方式，第二导电型第一包覆层(3
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112913095 A
(43)申请公布日 2021.06.04
(21)申请号 201880098782.3 (51)Int.Cl.
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