一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片.pdfVIP

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2023-06-09 发布于四川
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一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片.pdf

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本发明提供一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片，外延片包括依次沉积第一量子阱子层、第二量子阱子层、第三量子阱子层、第四量子阱子层以及第五量子阱子层而成的量子阱层，其中，前两个子层为GaN层，其余子层为InGaN层，在生长第一量子阱子层、第二量子阱子层以及第三量子阱子层的过程中，掺杂Si，且第一量子阱子层和第二量子阱子层中的Si掺杂浓度均高于所述第三量子阱子层中的Si掺杂浓度，其中，掺杂Si可以降低量子阱极化电场作用，提高电子和空穴波函数的交叠，进而提升辐射复合效率，达到提升发光二极

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114695610 A (43)申请公布日 2022.07.01 (21)申请号 202210602897.X (22)申请日 2022.05.31 (71)申请人江西兆驰半导体有限公司地址 33