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本发明所涉及的半导体装置具有具备第1主面的半导体区域(40)，半导体区域(40)具备：n型柱体层(13)及p型柱体层(14)，沿着第1主面交替设置；p型的第1阱层(21)，设置于n型柱体层(13)内且n型柱体层(13)的上表面；n型的第1源极(22)层，设置于第1阱层(21)内且第1阱层的上表面；第1侧面绝缘层(35)，设置于在n型柱体层(13)和p型柱体层(14)的边界设置的第1沟槽(74)内的侧面，与第1阱层(21)及第1源极层(22)相接；第1底面绝缘层(36)，设置于第1沟槽(74)内的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112913032 A
(43)申请公布日 2021.06.04
(21)申请号 201880098434.6 (51)Int.Cl.
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