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本发明公开了一种具有超晶格结构缓冲层的相变存储单元及制备方法，属于微纳米电子技术领域。一种具有超晶格结构缓冲层的相变存储单元利用周期性交替层叠的n个第一子层和n个第二子层构成的超晶格结构作为缓冲层，第一子层和第二子层的材料均为热电材料。热电材料具有较低的热导率，同时，由于超晶格材料的层厚度会影响膜密度，通过减小膜密度可以减小热导率。因此，用热电材料的超晶格结构薄膜作为缓冲层，可以利用薄膜的低热导率提高缓冲层的保温性和隔热效果，从而减少相变材料与电极之间的热传导，减少相变材料向外的热辐射，进而降低
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112909162 A
(43)申请公布日 2021.06.04
(21)申请号 202110006769.4
(22)申请日 2021.01.05
(71)申请人 华中科技大学
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