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本发明的实施例涉及一种对特征进行等离子体蚀刻的方法、由其形成的衬底及用于等离子体蚀刻的设备，其中所述方法包括如下步骤：(a)提供上面形成有掩模的衬底，所述掩模具有开口，其中所述衬底由复合半导体材料形成；(b)执行第一等离子体蚀刻步骤以穿过所述开口各向异性地蚀刻所述衬底以产生具有包括外围区域的底部表面的经部分形成特征；及(c)执行第二等离子体蚀刻步骤以穿过所述开口各向异性地蚀刻所述经部分形成特征的所述底部表面，同时将钝化材料沉积到所述掩模上以便减小所述开口的尺寸，其中所述开口的所述尺寸的所述减小导
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112908843 A
(43)申请公布日 2021.06.04
(21)申请号 202011153176.2
(22)申请日 2020.10.26
(30)优先权数据
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