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本发明涉及半导体器件。本发明公开了一种成像设备，该成像设备可包括单光子雪崩二极管(SPAD)。为了改善该SPAD的灵敏度和信噪比，可在该半导体衬底中形成光散射结构以增加入射光穿过半导体衬底的路径长度。为了减轻串扰，可围绕该SPAD形成多个隔离结构环。外部深沟槽隔离结构可包括金属填料诸如钨，并且可被配置为吸收光。因此，该外部深沟槽隔离结构防止在相邻SPAD之间发生串扰。另外，可包括一个或多个内部深沟槽隔离结构。该内部深沟槽隔离结构可包括低折射率填料以反射光并将入射光保持在该SPAD的有源区域中。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112909031 A
(43)申请公布日 2021.06.04
(21)申请号 202011284991.2 (51)Int.Cl.
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