薄膜晶体管阵列基板及其制作方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.04万字
约 11页
2023-06-10 发布于四川
举报
版权申诉

薄膜晶体管阵列基板及其制作方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，包括：在金属氧化物薄膜上形成第一光阻层，并对第一光阻层进行曝光、显影，以在栅极的上方保留第一光阻层而形成第一光阻部，其余位置的第一光阻层被去除；在金属氧化物薄膜上形成覆盖第一光阻部的第二金属层；在第二金属层上形成第二光阻层，并对第二光阻层进行曝光、显影，形成相互间隔开的第二光阻部和第三光阻部，其中第二光阻部和第三光阻部之间间隔形成一开口；利用第二光阻部和第三光阻部作为遮罩，对第二金属层和金属氧化物薄膜进行刻蚀，第二金属层在刻蚀之后形成相互间隔的源极和漏极，金属

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112951853 A (43)申请公布日 2021.06.11 (21)申请号 202110398296.7 (22)申请日 2021.04.14 (71)申请人昆山龙腾光电股份有限公司