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本发明公开了一种互补金属氧化物半导体图像传感器以及制备方法。该互补金属氧化物半导体图像传感器包括：第一衬底，第一衬底的第一表面设置有感光区和像素电路区；N个像素单元；像素单元包括光电二极管和像素电路，像素电路位于像素电路区，包括第一栅极结构和悬浮漏极，光电二极管与悬浮漏极电连接；导电互连单元覆盖第一衬底的第一表面，用于将像素单元的电信号引出；第二衬底位于导电互连单元远离第一衬底一侧的表面；光反射电容单元位于第二衬底的表面，与悬浮漏极电连接。本发明实施例提供的技术方案，提高了图像传感器的获取的图像
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112992954 A
(43)申请公布日 2021.06.18
(21)申请号 202110489973.6
(22)申请日 2021.05.06
(71)申请人 上海芯物科技有限公司
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