一种磁存储单元和存储器.pdfVIP

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2023-06-11 发布于四川
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一种磁存储单元和存储器.pdf

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本发明涉及磁存储领域，公开了一种磁存储单元和磁存储器，包括：磁性隧道结，磁性隧道结包括依次叠堆的自由层、隧穿层、固定层和保护层，自由层和固定层中的磁矩具有垂直各向异性，保护层兼具磁存储单元信息读出时的顶电极；自旋流引入层，磁性隧道结的自由层和所述自旋流引入层接触，用于在写入信息时接入控制电流，且兼具磁存储单元信息读出时的底电极；基底，用于在脉冲电压的作用下产生一个使所述自由层磁矩方向改变的应变；以及电极。本发明根据脉冲电压的正负获取残余应变，并且在自由层磁矩翻转过程中也无需电压一直维持该应变，是

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113013324 A (43)申请公布日 2021.06.22 (21)申请号 202110229528.6 (22)申请日 2021.03.02 (71)申请人浙江驰拓科技有限公司