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本发明提供了一种制备半导体的方法,涉及半导体结构制备技术领域,包括:在基板的上表面形成正性光刻胶层;利用第一掩模结构对正性光刻胶层进行曝光,在正性光刻胶层的曝光区域形成多个间隔的第一倒梯形结构,相邻两个第一倒梯形结构之间的非曝光区域形成第一正梯形结构;在正性光刻胶层上方形成负性光刻胶层;利用第二掩模结构对负性光刻胶层进行曝光,在负性光刻胶层的曝光区域形成第二倒梯形结构;对正性光刻胶层和负性光刻胶层显影,在基板上形成多个由第一正梯形结构和第二倒梯形结构堆叠而成的光刻胶柱;对基板的上表面一侧进行电子
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112992673 B
(45)授权公告日 2021.08.06
(21)申请号 202110503294.X 审查员 代智华
(22)申请日 2021.05.10
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