分栅MONOS闪存及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-11 发布于四川
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分栅MONOS闪存及其制造方法.pdf

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本发明公开了一种分栅MONOS闪存的闪存单元结构包括：从漏区到源区的方向上，沟道区分成第一段沟道子区和第二段沟道子区，第一栅极结构和第二栅极结构分别位于第一和第二段沟道子区的表面上方并控制对应沟道段的导通和关断。第一栅极结构采用第一高介电常数金属栅组成，第二栅极结构采用ONO层叠加第二高介电常数金属栅组成。第一栅极结构的形成区域采用第一伪栅极结构定义，第二高介电常数金属栅的形成区域采用第二伪栅极结构定义。第一和第二高介电常数金属栅具有相同的工艺结构。本发明还公开了一种分栅MONOS闪存的制造方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113013256 A (43)申请公布日 2021.06.22 (21)申请号 202110153141.7 (22)申请日 2021.02.04 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司