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一种提高DDR仿真精度的封装模型及其建模方法.pdfVIP

一种提高DDR仿真精度的封装模型及其建模方法.pdf

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    本发明涉及一种提高DDR仿真精度的封装模型，包括电阻R以及具有阻抗Z和时延TD的传输线模型，电阻R和传输线模型串联，本发明还涉及一种提高DDR仿真精度的封装模型建模方法，在高频信号的封装链路中，通过提取、修正RLC参数，获得修正后的封装模型，用以表征封装链路。本发明利用现有的主芯片仿真模型的RLC参数，进行修正，并串接原电阻，获得修正后的封装模型，通过修正后的封装模型仿真DDR系统的一组数据信号，获得与测试结果相符的仿真结果，本发明提高了DDR仿真精度，确保了仿真结果和测试结果的一致性，为PCB

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112989753 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202110115835.1 (22)申请日 2021.01.28 (71)申请人 深圳市一博科技股份有限公司

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