一种高耐压双栅极横向HEMT器件及其制备方法.pdfVIP

下载本文档

3
0
约1.16万字
约 10页
2023-06-13 发布于四川
举报
版权申诉

一种高耐压双栅极横向HEMT器件及其制备方法.pdf

1、本文档共10页，其中可免费阅读9页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明涉及一种高耐压双栅极横向HEMT器件，包括位于衬底上的缓冲层以及依次层叠于缓冲层上的GaN沟道层、AlN插入层和AlGaN势垒层组成的叠层，还包括p型埋层、位于p型埋层上的栅极和位于势垒层上的源/漏极和Γ型栅；沿厚度方向上，p型埋层自缓冲层靠近沟道层的表面朝向缓冲层中远离沟道层的一侧延伸一定深度；源极和漏极位于势垒层表面；源极和漏极之间设置一栅槽，Γ型栅位于栅槽中并朝向漏极一侧延伸；沿长度方向上，p型埋层自栅极下方延伸至栅槽下方。通过p型埋层的引入、双栅结合AlGaN/AlN/GaN异质结

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113113469 A (43)申请公布日 2021.07.13 (21)申请号 202110259511.5 H01L 21/335 (2006.01) (22)申请日