半导体装置的形成方法.pdfVIP

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2023-06-13 发布于四川
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半导体装置的形成方法.pdf

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本文公开了一种半导体装置的形成方法，包括提供结构，结构具有基板、栅极堆叠、及位于基板上方的源极/漏极(source/drain，S/D)部件、位于S/D部件上方的S/D接触件、位于栅极堆叠及S/D接触件上方的一或多个介电层、以及穿过一或多个介电层并电性连接至栅极堆叠及S/D接触件之一的导孔结构。方法还包括于结构上方形成铁电(ferroelectric，FE)堆叠，其中FE堆叠包括FE层、及位于FE层上方的顶电极层，其中FE堆叠直接接触导孔结构；并且将FE堆叠图案化，得到图案化的FE堆叠，包括图案

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113113413 A (43)申请公布日 2021.07.13 (21)申请号 202110208680.6 (22)申请日 2021.02.24 (30)优先权数据