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2023-06-14 发布于四川
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半导体装置(10)包括连接到半导体层(11)的主表面(19)中的与源极区域(12)对应的区域的第1电极部(17)。半导体装置包括连接到半导体层的主表面中的与漏极区域(13)对应的区域的第2电极部(18)。第1电极部具有连接到与源极区域对应的区域的多个第1接触件(23)。第2电极部具有连接到与漏极区域对应的区域的多个第2接触件(24)。将半导体层的主表面的面方向中的一个方向定义为栅极电极的栅极宽度方向。多个第1接触件沿着栅极电极的栅极宽度方向配置为一列。多个第2接触件沿着栅极电极的栅极宽度方向配置

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113169223 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 201980076367.2 (74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司