- 1、本文档共12页,其中可免费阅读11页,需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明属于功率半导体技术领域,提供一种具有二极管钳位载流子存储层的槽栅IGBT器件,用以解决传统结构存在的导通压降高、关断速度慢、短路安全工作区小以及栅驱动功耗大等问题。本发明通过在硅片表面集成串联的PN结二极管和p型肖特基二极管、或者串联的两个p型肖特基二极管用于钳位P型电场屏蔽区的电位,进而将CSL电位屏蔽,从而可以大幅度提高CSL的掺杂浓度;CSL层的重掺杂能够提高IGBT发射结的电子注入效率,极大地优化IGBT的导通压降和关断速度之间的折中关系;此外,由于MOS沟道的漏极电压,即CSL电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113193043 B
(45)授权公告日 2023.03.28
(21)申请号 202110417501.X H01L 27/06 (2006.01)
(22)申请日 2021.04
文档评论(0)