一种带有TSV金属柱的硅片结构的电镀工艺.pdfVIP

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2023-06-15 发布于四川
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一种带有TSV金属柱的硅片结构的电镀工艺.pdf

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本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种带有TSV金属柱的硅片结构的电镀工艺。本发明的电镀工艺方法，包括以下步骤：在硅片上形成通孔，在通孔内和硅片表面制作钝化层；在所述硅片的正反面制作电镀用种子层；将所述硅片置于电镀腔内，从所述硅片的一面喷射电镀液，另一面施加吸力，使电镀液通过硅片表面的通孔；在硅片表面施加电流，在通孔内沉积金属直到所述通孔内和硅片两面均沉积有金属，抛光所述硅片的正反两面，得到带有TSV金属柱的硅片结构。本发明采用通孔工艺代替原来的盲孔工艺，用双面制作种子层的方式实现深TSV通孔的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113161290 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 202110437179.7 (22)申请日 2021.04.22 (71)申请人浙江集迈科微电子有限公司