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本发明公开了一种高孔隙率高强度低导热率多孔SiC陶瓷及其制备方法,该制备方法包括球磨碳纤维,预制碳纤维,配制先驱体浆料,然后经过加热搅拌、冷冻、真空冷冻干燥,热氧化固化,最后经过热解、脱碳处理得到高孔隙率高强度低导热率多孔SiC陶瓷。该制备方法通过引入中空多孔SiC纤维做为孔壁单元,在保证多孔功能性和不降低多孔SiC孔隙率的前提下,提高多孔材料的抗压强度,解决了目前多孔SiC陶瓷在高孔隙率下压缩性能较低的缺点,并在一定程度上降低其热导率,制备得到的多孔SiC陶瓷在航空航天隔热材料领域具有广泛的应
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113185312 A
(43)申请公布日 2021.07.30
(21)申请号 202110382469.6
(22)申请日 2021.04.09
(71)申请人 西安理工大学
地址
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