半导体辐射检测器.pdfVIP

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2023-06-16 发布于四川
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半导体辐射检测器.pdf

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本文公开一种辐射检测器(100)，其包括：包括第一组电触点(118A)和第二组电触点(118B)的电子器件层(120)；被配置为吸收辐射的辐射吸收层(110)；第一组电极(119A)和第二组电极(119B)，其中所述第一组电极(119A)和第二组电极(119B)相互交叉并且沿其厚度方向延伸到所述辐射吸收层(110)中；其中所述电子器件层(120)和所述辐射吸收层(110)被结合，使得所述第一组电极(119A)被电连接到所述第一组电触点(118A)，并且所述第二组电极(119B)被电连接到所述第二

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113260880 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 201980087442.5 (22)申请日 2019.01.10 (85)PCT国际申