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本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置,该制作方法包括:在衬底基板上形成沿第一方向延伸的条形的金属氧化物图形,对金属氧化物图形进行还原处理,得到多个金属诱导颗粒;在衬底基板上形成非晶硅薄膜,对非晶硅薄膜进行退火,退火过程中,金属诱导颗粒诱导非晶硅薄膜析出硅纳米线并生长;去除金属诱导颗粒和剩余的非晶硅薄膜,形成有源层图形,有源层图形包括:沿第二方向延伸且沿所述第一方向间隔设置的多条硅纳米线;在有源层图形远离衬底基板的一侧形成半导体掺杂层图形、源极和漏极,半导体掺杂层图形包括所述第
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113206015 A
(43)申请公布日 2021.08.03
(21)申请号 202110482217.0 H01L 27/12 (2006.01)
(22)申请日 2
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