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本发明提供一种铁电二维场效应晶体管及其制备方法,晶体管包括由下至上依次为底部金电极层、铁电衬底层、沟道层、钛层、顶部金电极层和包覆层,所述底部金电极层用作底栅,所述顶部金电极层用作源极、漏极和顶栅,所述包覆层用于防止器件氧化,所述铁电衬底层用于施加门电压改变沟道层电子掺杂浓度。本发明利用铁电衬底层和沟道层的界面效应,通过加门电压的方式,使得铁电衬底层产生极化,通过不同极化方向来调控沟道的电子掺杂浓度,从而改变沟道层的电阻大小,可使铁电场效应晶体管实现‘导通’和‘断开’的两种状态,对应于器件的低电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113206149 A
(43)申请公布日 2021.08.03
(21)申请号 202110488620.4
(22)申请日 2021.05.06
(71)申请人 南京
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