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本发明公开一种发光二极管芯片封装结构及其制作方法。发光二极管芯片封装结构的制作方法包括:提供一荧光粉薄膜,其包括一荧光粉层以及包覆荧光粉层的外包覆层,荧光粉层包括多个荧光粉颗粒;接着,移除外包覆层,而裸露出荧光粉层;然后,让荧光粉层覆盖于一发光二极管芯片上。另外,发光二极管芯片封装结构包括:一发光二极管芯片以及一荧光粉层。荧光粉层覆盖于发光二极管芯片上。荧光粉层包括彼此相互紧密连接的多个荧光粉颗粒,并且荧光粉层不包含非荧光粉胶材。借此,不被外包覆层所包覆的荧光粉层能直接覆盖于发光二极管芯片上,并
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113257976 B
(45)授权公告日 2022.06.24
(21)申请号 202010199947.5 (51)Int.Cl.
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