半导体存储装置.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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半导体存储装置.pdf

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实施方式提供一种可良好地制造的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备衬底，该衬底具备在第1方向上排列的第1区域及第2区域。另外，该半导体存储装置的第1区域具备：多个第1导电层及多个第1绝缘层，在第2方向上交替地积层；第1半导体层，在第2方向上延伸，且与多个第1导电层及多个第1绝缘层相对向；及第2半导体层，连接于第1半导体层，且在第1方向上延伸。另外，在该半导体存储装置的第2区域中也设置着相同的构造。另外，该半导体存储装置具备与设置在第1区域及第2区域的第2半导体层接合的第3导电层。另外，设

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114121965 A (43)申请公布日 2022.03.01 (21)申请号 202110148581.3 H01L 27/11568 (2017.01)