具有间隔体沉积前切割栅极的全环栅集成电路结构的制造.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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具有间隔体沉积前切割栅极的全环栅集成电路结构的制造.pdf

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描述了具有间隔体沉积前切割栅极的全环栅集成电路结构。例如，集成电路结构包括水平纳米线的第一垂直布置和水平纳米线的第二垂直布置。第一栅极堆叠体在水平纳米线的第一垂直布置之上，而第二栅极堆叠体在水平纳米线的第二垂直布置之上。第二栅极堆叠体的一端与第一栅极堆叠体的一端间隔开一间隙。集成电路结构还包括电介质结构，该电介质结构具有沿第一栅极堆叠体的侧壁形成栅极间隔体的第一部分、沿第二栅极堆叠体的侧壁形成栅极间隔体的第二部分、以及完全填充间隙的第三部分，第三部分与第一和第二部分连续。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114256232 A (43)申请公布日 2022.03.29 (21)申请号 202110967073.8 (51)Int.Cl.