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2023-06-17 发布于四川
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半导体器件.pdf

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一种半导体器件，包括：第一源/漏结构，当在平面截面图中观察时，在水平方向上具有第一长度，水平方向与竖直方向垂直；第二源/漏结构，当在平面截面图中观察时，在水平方向上具有第二长度，第二长度小于第一长度；边界沟道，在第一源/漏结构和第二源/漏结构之间延伸，边界沟道在竖直方向上彼此间隔开；至少一个牺牲图案，在边界沟道中的相邻的边界沟道之间；以及沟槽，穿透边界沟道和至少一个牺牲图案。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068529 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202110492684.1 (22)申请日 2021.05.06 (30)优先权数据