用离子注入法制造的双侧马约拉纳费米子量子计算器件.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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用离子注入法制造的双侧马约拉纳费米子量子计算器件.pdf

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通过在超导体层(410)上形成限定器件区和器件区内的感测区的第一抗蚀剂图案来制造量子计算器件。感测区内的超导体层被去除，从而暴露器件区外的底下半导体层(340)的第一表面的区。对半导体层的暴露区进行注入，形成围绕器件区的隔离区。感测区和超导体层的器件的部分被暴露。通过将半导体层的第一表面与第一金属层耦合来形成感测区触点(202)。使用所述器件区的感测区外的部分内的第一金属来形成纳米柱触点(206，212)。通过在感测区内的半导体层的第二表面上沉积第二金属层来形成隧道结栅极(204)。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114730792 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202080077978.1 (74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所