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- 2023-06-20 发布于四川
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本发明公开了一种原位生长SiC纳米线改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料的制备方法和应用，所述制备方法为将含金属镀层的石墨片与碳纤维预制体在不接触的情况下共同置于化学气相沉积炉，通过化学气相沉积于碳纤维预制体的孔隙及表面原位生长SiC纳米线，获得带SiC纳米线的SiC纤维预制体，再通过化学气相沉积获得SiC基体，即得SiC纳米线改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料，本发明通过间接引入金属催化剂，金属催化剂呈气相扩散到SiC纤维预制体的表面以及内部孔隙，催化剂分布更加均匀，催化生长的SiC纳米线密度适
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113321522 B
(45)授权公告日 2022.04.19
(21)申请号 202110725180.X C04B 35/622 (2006.01)
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