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本发明公开了一种皮秒碳化硅漂移阶跃恢复二极管，包括原胞结构，原胞结构自下而上依次包括N型欧姆接触电极、N型掺杂阴极区、N型掺杂Buffer层、P型基区、P型掺杂区、P型掺杂阳极区和P型欧姆接触电极，P型基区掺杂浓度为1*1015‑5*1016cm‑3、厚度为0.25μm‑1μm，通过采用高浓度掺杂P型基区，能够有效减小DSRD器件的开关时间和正向导通压降，厚度为0.25μm‑1μm，有效提高了二极管的击穿特性，P型基区与P型重掺杂阳极区之间为P型掺杂区，可以增加P型基区电离受主的数量以补偿其中的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113380874 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202110579210.0
(22)申请日 2021.05.26
(71)申请人 西安交通大学
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