一种具有量子阱结构的N型TOPCon电池及其制作方法.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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一种具有量子阱结构的N型TOPCon电池及其制作方法.pdf

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本发明公开了一种具有量子阱结构的N型TOPCon电池，自上而下包括正极接触电极、前表面减反层、钝化膜、P+掺杂层、N型硅衬底、量子阱层、隧穿氧化层、N+多晶硅掺杂层、背表面减反层以及负极接触电极，所述量子阱层的禁带宽度小于晶硅材料。本发明还公开了一种具有量子阱结构的N型TOPCon电池的制作方法。本发明通过在隧穿氧化层与硅衬底之间引入量子阱结构，使得电池背表面生长的量子阱结构成为聚集电子或空穴的势阱，聚集在量子阱内部的电子或空穴再通过隧穿作用穿透氧化层到达多晶硅层。该结构相比于传统的N型TOPC

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113437159 B (45)授权公告日 2022.09.09 (21)申请号 202110633565.3 (72)发明人张天杰　刘大伟　倪玉凤　宋志成　 (22)申请日 2021.06.07