太阳电池生产工艺.pptVIP

在等离子体刻蚀工艺中，关键的工艺参量是射频功率和刻蚀时间。如功率太高，等离子体中离子的能量较高而会对硅片边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的电性能变差从而使电池的性能下降。因此，人们通常倾向于采用功率相对较低而时间相对较长的刻蚀工艺。当然，另一方面，等离子体刻蚀过程中，载能离子也会对硅片边缘附近的正反表面区域造成影响。刻蚀过程越长，这种影响越严重。 * 第三十页，共六十页，2022年，8月28日 因此，在生产过程中，等离子体刻蚀的功率大小和刻蚀时间长短的选取是一种折衷考虑。较高能量的离子轰击对边缘区域造成的损伤会对边缘区域所收集到的载流子有一定程度的减少，因而会导致短路电流稍微降低。其最大后果是会使器件的理想因子“n”增加，因为在结区（耗尽区）造成的损伤会使得结区复合增加，从而表现在理想因子的增加。 * 第三十一页，共六十页，2022年，8月28日 对于较低的等离子功率，需要较长的刻蚀时间。如果刻蚀不足，电池的并联电阻会下降，对这种情况需要增加功率或延长刻蚀时间。如果刻蚀时间长到足以对电池片的正反面造成损伤，由于这不可避免地会造成损伤延伸到正面结区，因而也会使理想因子“n”增加。如果刻蚀时间过长，会因损伤区域的高复合而使得开路电压和短路电流降低。 * 第三十二页，共六十页，2022年，8月28日 等离子功率太低会使等离子体不稳定和分布不均匀，从而造成某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致并联电阻下降。开路电压的分布测量是检验该问题的有效方法，如边缘刻蚀不足，则接近边缘区域时，开路电压会降低很大（甚至低到200mV）；而正常情况下，该下降应比较小。 * 第三十三页，共六十页，2022年，8月28日 钝化减反膜的作用和要求　 表面平整的硅片在很宽的波长范围（400～1050nm）内对入射光的反射均高于30%。该反射可以通过表面绒面来降低。但是，一方面，金字塔绒面只能在特定取向（接近100晶向）的硅片上实现，减反的效果只能低到接近10%；另一方面，对于不适合于绒面制备的硅片、因其它考虑要求平表面硅片的电池或为了进一步降低反射，需要在硅片表面制备一层或多层介质膜。 * 第三十四页，共六十页，2022年，8月28日 介质膜的种类及制备方法有多种，比如真空加热沉积、化学气相沉积、丝网印刷、溅射、电子束蒸发、离心甩胶甚至喷镀等等。考虑到介质膜的质量及生产成本，最常用的减反介质膜是氮化硅和二氧化钛，前者主要采用化学气相沉积，而后者主要采用喷镀、化学气相沉积和丝网印刷。 * 第三十五页，共六十页，2022年，8月28日 太阳电池制作中对于介质膜的要求是：折射率为1.9～2.1。我们注意到，若选择适当的介质层厚度和折射率可以将某一特定波长的入射光反射降低到零。然而，太阳光的光谱范围包含许多各种不同的波长，零反射条件的选择只能针对某一波长，其它波长的光的反射会随与此特定波长的偏离的增大而增加。因此，减反介质层的设计要根据太阳光波长的分布特征和硅材料的吸收特点而作总体考虑。基于这些考虑，对于折射率为1.9～2.1的介质层，厚度为80nm左右。这也是为什么生产出来的太阳电池看起来是蓝色的，因为较短波长的光比较长波长的光的反射要多。 * 第三十六页，共六十页，2022年，8月28日 当然，在实验室一般可以采用多层减反膜以使入射太阳光中多个波长光的反射均降为零，在这种情况下，太阳电池看起来是黑色或深绿色的。通常在大规模生产中，由于成本的考虑，只采用一层减反膜。 原则上，减反介质膜可以在生产过程中的不同阶段制备。以前，人们为了避免因为制备的减反膜需要耐高温以及减小由此导致的污染，通常将减反介质膜的制备安排在生产过程中的最后一步。然而，这种安排的问题是需要将金属栅线上用于焊接区域的减反介质膜去除以便封装过程中的焊接。 * 第三十七页，共六十页，2022年，8月28日 近年来，由于所选择的减反介质膜材料的耐高温和无污染特性，以及由于可以经过烧结穿透介质膜实现欧姆接触的丝网印刷金属浆料的开发，减反介质膜材料的制备已被安排在生产过程的中间环节。 新型丝网印刷金属浆料和与之相适应的可以通过烧结穿透实现欧姆接触的减反介质膜沉积技术的开发是过去20多年来丝网印刷太阳电池技术中最重要的进展。其关键点是通过烧结穿透实现与N型扩散区的欧姆接触而同时又不会损坏附近的结区。 * 第三十八页，共六十页，2022年，8月28日 当丝网印刷在30多年以前被用于太阳电池的生产时，为了实现良好的欧姆接触而又要保证在后续的烧结过程中金属不会穿透到结区，磷扩散得比较浓而结又比较深。因此，过去几十年以来，丝网印刷太阳电池均采用浓度较高结比较深的扩散条件。而在丝网印刷之前进行减反膜沉积的新型工艺的采用可以使后续的烧结过程中金属在硅片里的穿透做到尽可能地小。这有两方面的好处：可以采用较浅的扩散结以