ISFET阵列传感器芯片的状态检测方法及相关装置.pdfVIP

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2023-06-26 发布于四川
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ISFET阵列传感器芯片的状态检测方法及相关装置.pdf

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本申请公开了一种ISFET阵列传感器芯片的状态检测方法，包括：基于从芯片中随机选择的阵元的施加电压作为正常工作电压；基于预设规则从芯片中选择多个待检测阵元；基于正常工作电压对多个阵元进行状态检测，得到检测结果。通过随机选择的阵元的施加电压作为进行状态检测的正常工作电压，避免了选择基准电压不准确的问题，然后基于预设规则从芯片中选择多个待检测阵元；基于正常工作电压对多个阵元进行状态检测，得到检测结果，而不是按照顺序对阵元进行检测，避免最初进行检测的信号丢失的问题，提高对芯片状态检测的准确性。本申请还

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116298820 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310453122.5 (22)申请日 2023.04.21 (71)申请人山东云海国创云计算装备产业创新