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本发明涉及晶体管技术领域，具体为一种可沟槽刻蚀的超结功率MOSFET结构设计及使用方法，包括金氧半场效晶体管，所述金氧半场效晶体管的两侧壁均卡合连接有散热片，所述金氧半场效晶体管的源极引脚、栅极引脚和漏极引脚的底端均卡合连接有焊块。本发明通过在超结功率MOSFET的侧壁表面刻蚀卡槽，并在卡槽内部卡合散热片，在超结功率MOSFET工作时，散热片可以起到一定的散热作用，从而避免超结功率MOSFET被烧毁；本发明通过在栅极引脚、漏极引脚以及源极引脚的底部安装焊块，在安装或者更换超结功率MOSFET时，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113690204 A
(43)申请公布日 2021.11.23
(21)申请号 202110964335.5
(22)申请日 2021.08.22
(71)申请人 福建晋润半导体技术有限公司
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