一种基于双层钝化精准刻蚀的双T型栅的制备方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约9.97千字
约 9页
2023-06-29 发布于四川
举报
版权申诉

一种基于双层钝化精准刻蚀的双T型栅的制备方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种基于双层钝化精准刻蚀的双T型栅的制备方法，包括在外延结构上依次生长两层钝化层，两层钝化层包括底层钝化层及顶层钝化层；对顶层钝化层进行第一次曝光，在第一次曝光区域内对顶层钝化层和底层钝化层进行自上而下刻蚀形成栅根区域；对顶层钝化层进行二次曝光，在二次曝光区域对顶层钝化层进行刻蚀形成下层栅帽区域；对顶层钝化层进行第三次曝光形成顶层栅帽曝光区域，蒸镀金属并剥离光刻胶部分即在双钝化层中形成双T型栅结构。本方法在对半导体器件实现双层钝化的同时，制备了百纳米级栅根的双T型栅结构，在减少器件缺

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113690132 A (43)申请公布日 2021.11.23 (21)申请号 202110871188.7 (22)申请日 2021.07.30 (71)申请人华南理工大学地址