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本发明公开了一种高灵敏度微机械系统(MEMS)压差传感器件及其制备方法，所述压差传感器件包括带刻蚀窗口的氮化硅(SiNx)薄膜、硅(Si)基片、SiNx悬浮结构自支撑膜、PdSe2多晶超薄膜、金属电极及表面钝化层。超薄PdSe2显著的压阻效应和超薄悬浮SiNx使得器件具有较高的压差应力传感特性，而高杨氏模量的SiNx保证器件压差传感的可靠性。优化设计的金属电极结构形成的惠斯通电桥能抑制温漂，确保了压差测量的准确性。本发明的优点是硅基半导体工艺兼容，成品率高，可重复性强，稳定性好，器件灵敏度高的压
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116354307 A
(43)申请公布日 2023.06.30
(21)申请号 202310321370.4
(22)申请日 2023.03.29
(71)申请人 电子科技大学
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