具有低关断损耗的新型耐高压抗辐照SOI-LIGBT功率器件.pdfVIP

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2023-07-01 发布于四川
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具有低关断损耗的新型耐高压抗辐照SOI-LIGBT功率器件.pdf

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本发明公开了具有低关断损耗的新型耐高压抗辐照SOI‑LIGBT功率器件，属于功率器件领域，具有低关断损耗的新型耐高压抗辐照SOI‑LIGBT功率器件，包括SOI‑LIGBT功率器件本体，SOI‑LIGBT功率器件本体包括衬底，衬底上端设有绝缘层,绝缘层上端设有上层硅薄膜，且上层硅薄膜为漂移区，上层硅薄膜与绝缘层之间设有低掺杂PBL区，上层硅薄膜上端左右两侧分别设有发射器和收集器，可以实现通过采用绝缘体上硅衬底技术和运用工艺辐照加固设计，使上层硅薄膜与衬底全介质隔离，有效的解决器件关断损耗和导通电

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116364770 A (43)申请公布日 2023.06.30 (21)申请号 202211543544.3 (22)申请日 2022.12.03 (71)申请人河南大学地址 475001