半导体结构的制作方法以及半导体结构.pdfVIP

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2023-07-02 发布于四川
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半导体结构的制作方法以及半导体结构.pdf

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本申请提供了一种半导体结构的制作方法以及半导体结构，该方法包括：提供基底，基底包括依次层叠的衬底和堆叠结构；在各第一牺牲层的远离衬底的裸露表面上形成第二牺牲层，得到多个预备台阶，第二牺牲层包括层叠的多个第二子牺牲层，且任意相邻的两个第二子牺牲层中，第一个第二子牺牲层的掺杂浓度小于第二个第二子牺牲层的掺杂浓度；在基底的裸露表面上以及各预备台阶的裸露表面上沉积介质材料；将各预备台阶中的第一牺牲层的材料以及第二牺牲层的预定部分的材料分别置换为导电材料，形成多个导电层，置换后的预备台阶为台阶；对形成有多

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113725222 A (43)申请公布日 2021.11.30 (21)申请号 202111007834.1 (22)申请日 2021.08.30 (71)申请人长江