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本申请涉及半导体装置和系统，以及形成方法。装置、系统和结构包含布置于层的一或多个层面中的材料的竖直交替层的堆叠。其中可形成沟道支柱的沟道开口延伸穿过所述堆叠。所述支柱包含横向延伸到所述沟道开口的“底切部分”中的“肩部部分”，所述底切部分沿着所述堆叠的所述层面中的至少一个的至少一下部层限定。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113793853 A
(43)申请公布日 2021.12.14
(21)申请号 202111082129.8 H01L 27/11556 (2017.01)
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